ID produktu: 9653
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu MOSFET o symbolu 4N60, znany również jako FQP4N60, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 4A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w projektowaniu zaawansowanych części elektronicznych, zapewnia wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy, dzięki czemu znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych i konsumenckich.