Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9487
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N2907 METAL, bipolarny, typu PNP, zapewnia maksymalny prąd kolektora wynoszący do 600 mA przy napięciu kolektor-emiter do 40 V. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem przełączania. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 9320
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N2907 PLASTIC, bipolarny, typu PNP, przeznaczony do zastosowań przełączających i wzmacniaczy niskoszumowych, charakteryzuje się obudową plastikową. Posiada maksymalne napięcie kolektora do emitera VCEO wynoszące 60V oraz prąd kolektora IC do 600mA. W kontekście części elektronicznych, jego parametry termiczne i elektryczne czynią go odpowiednim do szerokiego zakresu aplikacji.
ID produktu: 8364
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2N3055, zamknięty w obudowie TO-3, stanowi kluczowy element w konstrukcji zasilaczy, regulatorów mocy oraz innych urządzeń elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (VCEO) wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem kolektora (IC) na poziomie 15A. Jego zastosowanie obejmuje szeroki zakres aplikacji, od liniowych po impulsowe. W kontekście części elektronicznych, 2N3055 wykazuje się wysoką niezawodnością przy pracy w obciążeniach o dużej mocy.
ID produktu: 10600
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N60C, znany również jako FQPF2N60C, realizowany jest w obudowie TO-220F, charakteryzując się przez maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 600V oraz prąd drenu ID na poziomie 2A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w szerokim zakresie aplikacji przełączających. Wyróżnia się wysoką odpornością na impulsy napięciowe oraz efektywnością w zarządzaniu energią.
ID produktu: 9713
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SA1011 to tranzystor PNP o obudowie METAL (TO-220), zaprojektowany do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz regulacji prądowej. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym -160V oraz prądem kolektora IC do -1.5A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum aplikacji, od audio po przemysłowe moduły sterujące. Dostępność części elektronicznych takich jak 2SA1011 jest kluczowa dla efektywnego projektowania systemów elektronicznych.
ID produktu: 8791
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1013, w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy komponent typu PNP, przeznaczony do zastosowań niskoszumowych w układach wzmacniaczy audio. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO równym -160V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym -1A. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń audiofilskich.
ID produktu: 10085
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1015, w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy element wykonany z germanu lub krzemu, charakteryzujący się niskim poziomem szumów oraz wysoką czułością. Przeznaczony do zastosowań w niskoszumowych wzmacniaczach audio oraz obwodach przełączających. Dostępny w ofercie części elektronicznych. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie sygnałem w zakresie do kilkuset MHz.
ID produktu: 9644
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1020, w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy element wykonawczy typu PNP, charakteryzujący się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 50V oraz prądem kolektora IC o wartości 2A. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w różnorodnych aplikacjach analogowych i przełączających, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Dostępność tego komponentu ułatwiają części elektroniczne dostępne w specjalistycznych dystrybucjach.
ID produktu: 8792
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1023, z obudową TO-92, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym PNP, przeznaczonym głównie do zastosowań w niskoszumowych wzmacniaczach audio oraz w obwodach przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Współczynnik wzmocnienia prądowego hFE tego modelu mieści się w zakresie od 160 do 320 przy Ic=100mA. Dopuszczalne maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 50V, co czyni go odpowiednim do zasilania napięciem do 50V. Więcej informacji na temat tego oraz innych części elektronicznych można znaleźć online.
ID produktu: 8366
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1037 SMD, bipolarny typu PNP, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 50V oraz prądem kolektora IC do 150mA. Obudowa SOT-23 zapewnia kompaktowe rozwiązanie dla części elektronicznych wymagających minimalizacji zajmowanej przestrzeni. Parametry graniczne oraz niewielkie rozmiary czynią go odpowiednim do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy niskiej mocy.