ID produktu: 11402
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB649A typu PNP, zaprojektowany w obudowie TO-126, cechuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz prądem kolektora IC o wartości do 1.5A. Charakteryzuje go również niska wartość nasycenia oraz wysoka częstotliwość pracy. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.