ID produktu: 8648
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu N-MOSFET, IRF540N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID do 33A. Znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości, cechuje się niską rezystancją kanału RDS(on) oraz szybkim czasem przełączania.